반도체 공정개요

 

반도체

•     반도체 PLANT

 

 

 CHEMICAL제조공정은 고순도 제품을 요구하는 PLANT로 반도체, 웨이퍼등의 제작공정에

 

필요하는 CHEMICAL을 제조하는 PLANT입니다.

반도체CHEMICAL PLANT는 증류분리, 밀도분리, 용해분리, 흡착분리에 대한 특성으로 설계 및

시공하며, PLANT설계 시 많은 DATA와 계산식을 요하는 PLANT입니다.

원료별의 끓는 점, 밀도, 용해도에 맞는 DATA를 바탕으로 PLANT를 설계해야 하며, PLANT재질이

GLASSS, SUS316L EP급 이상의 재질로 구성함을 기본으로 합니다.

고순도를 요구하는 공정은 DISTILLATION / VAPORIZATION으로 방식으로 설계하며

설비의 재질이 GLASS재질로 구성하며 일부 TEFLON COATING, GLASS LINING, SUS316L EP로

구성하기도 한다.

혼합분리방법

1.     DISTILLATION

- 끓는 점이 다른 액체를 증발시킨 후 냉각수를 순환하여 잔류액과 분리 .

    2. 밀도차 분리

       - 다른 밀도차가 있는 두 물질을 정체공정을 통해 층 분리를 시켜 분리.

    3. 용해도차 분리

       - 혼합된 물질 중 한가지 물질만 용해될 수 있는 용매를 첨가하여 그 물질만 분리.

    4. 흡착도 분리

       - 흡착도가 다른 두 물질에 흡착제를 투입하여 다른 한 물질만 분리.

 

Business Part

 

-      DISTILLATION PLANT ENG.

 

-      COMPOUND PLANT ENG.

 

-      REACTION PLANT ENG.

 

-      고순도 GAS LINE ENG